Détails du produit
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: VBE
Numéro de modèle: VBE-S2/S3/S4
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 1PCS
Détails d'emballage: Emballage neutre
Délai de livraison: 5 à 10 jours ouvrables
Capacité d'approvisionnement: 100000PCS par mois
Connecteur de rf: |
N-femelle |
Manipulation de puissance (W): |
50 |
Impédance (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Directivité (dB): |
≥20 |
Gamme de fréquences (MHz): |
806~960 et 1710~2500 |
Connecteur de rf: |
N-femelle |
Manipulation de puissance (W): |
50 |
Impédance (Ω): |
50 |
V.S.W.R: |
≤1.25 |
Directivité (dB): |
≥20 |
Gamme de fréquences (MHz): |
806~960 et 1710~2500 |
Diviseur 800-2700MHz 2 de puissance de rf manière manière/3 manières/4
Caractéristiques :
Basse perte par insertion, isolement élevé, fiable, approprié au système de communication mobile de micro-onde.
Des paramètres spécifiques peuvent être conçus selon les besoins des utilisateurs.
Applications :
Optimisation du réseau de communication mobile et système de distribution d'intérieur.
Spécifications techniques :
| Articles | bidirectionnel | à trois voies | 4-way |
| Modèle NON. | VBE-S2 | VBE-S3 | VBE-S4 |
| Plage de fréquence (mégahertz) | 806~960 et 1710~2500 | ||
| Perte de diviseur (DB) | 3 | 4,8 | 6 |
| Perte par insertion (DB) | ≤0.3 | ≤0.4 | ≤0.6 |
| Directivité (DB) | ≥20 | ||
| Intermodulation | ≥140dBc (+43dBm*2) | ||
| V.S.W.R | ≤1.25 | ||
| Impédance (Ω) | 50 | ||
| Manipulation de puissance (W) | 50 | ||
| Connecteur de rf | N-femelle | ||
| Température de fonctionnement | -35 ºC du ºC ~+60 | ||
