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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

Détails du produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: VBE

Certification: ISO

Numéro de modèle: VBE6006H

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Quantité de commande min: 1pcs

Détails d'emballage: emballage neutre

Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables

Capacité d'approvisionnement: 10k

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Les spécifications
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transistor de puissance à haute fréquence

,

transistor d'amplificateur de puissance de rf

,

transistor de puissance de 60W rf

Condition:
Tout neuf et original
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Description
C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf 0

C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf 1

C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf 2

 

 

 

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