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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

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C.C aux transistors à large bande de GaN de puissance élevée de la nitrure 28V de gallium de transistor de puissance de 4GHz 60W rf

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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: VBE
Certification: ISO
Numéro de modèle: VBE6006H

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1pcs
Détails d'emballage: emballage neutre
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Capacité d'approvisionnement: 10k
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Condition: tout nouveau et original

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