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À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme

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À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme

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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: VBE
Certification: ISO
Numéro de modèle: VBE10R5

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1pcs
Détails d'emballage: emballage neutre
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Capacité d'approvisionnement: 10k
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Description de produit détaillée
Condition: tout nouveau et original

 

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