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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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5850 - module d'alimentation de 6425MHz rf, amplificateur radiofréquence avec le connecteur de SMA/BNC

Détails du produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: VBE

Certification: ISO9001

Numéro de modèle: VBP58-64GU

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1SET

Prix: Customized Product

Détails d'emballage: emballage neutre

Délai de livraison: 7-15 jours

Conditions de paiement: T / T, Western Union,

Capacité d'approvisionnement: 10000 PCs par mois

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Les spécifications
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module d'amplificateur de rf

,

Amplificateur de puissance de radiofréquence

Nom du produit:
C-bande 5850-6425MHz rf vers le haut de convertisseur
Bande de fréquence d'entrée:
70MHz±20MHz
Plage de fréquence de sortie:
5850 mégahertz ~6425 mégahertz
Gain de conversion:
30dB~50dB
Connecteur:
SMA/N/BNC
Alimentation:
C.A. 153V~265V
Nom du produit:
C-bande 5850-6425MHz rf vers le haut de convertisseur
Bande de fréquence d'entrée:
70MHz±20MHz
Plage de fréquence de sortie:
5850 mégahertz ~6425 mégahertz
Gain de conversion:
30dB~50dB
Connecteur:
SMA/N/BNC
Alimentation:
C.A. 153V~265V
Description
5850 - module d'alimentation de 6425MHz rf, amplificateur radiofréquence avec le connecteur de SMA/BNC

C-bande 5850-6425MHz rf vers le haut de convertisseur, module d'amplificateur de puissance de rf

Instructions de module d'amplificateur de puissance de VBE rf :

Les solutions de VBE des modules de rf comprenant la source de signal de radiofréquence, l'amplificateur de puissance de radiofréquence (PA), l'amplificateur à faible bruit (LNA), l'unité extérieure de radiofréquence (ODU) et la solution adaptée aux besoins du client de module de radiofréquence, la bande de P-vague de couverture de bande de fréquence, la bande de L-vague, la bande de S-vague, la bande de Ku-vague et la Ka-vague se réunissent et ainsi de suite, largement s'appliquant dans le système à extrémité élevé d'équipement. Le module adoptent un certain nombre de technologie de pointe dans le produit concevant et répondent à l'exigence différente de la fonction et du paramètre d'optimisation du traitement.


Spécifications techniques :

Article Index Remarques
Chaîne d'InputFrequency 70MHz±20MHz
Chaîne d'OutputFrequency 5850 mégahertz ~6425 mégahertz
Étape de fréquence 1MHz /125KHz/1KHz
Compression du DB P1 ≥+10dBm Sélectionnable
Gain de conversion 30dB~50dB
Contrôle de gain 50dB/30dB, étape 1dB/0.5dB Sélectionnable
Planéité de gain ±2.5dB/In-band, ±0.8dB/40MHz Sélectionnable
Stabilité de gain ±0.5dB
Stabilité de fréquence ±1×10-7/year, ±1×10-8/day
Bruit de phase -70dBc/Hz @100Hz, -75dBc/Hz @1KHz
-80dBc/Hz @10KHz, -90dBc/Hz @100KHz
Fuite de LO ≤-65dBm
Fausse sortie ≤-60dBc
intermodulation de Multi-transporteur ≤-42dBc (double-carrierTotal 0dBm de puissance de sortie)
Suppression harmonique ≤-40dBc (0dBm de puissance de sortie total)
Connecteur SMA/N/BNC Sélectionnable
Perte de retour ≥ 20dB
Alimentation d'énergie C.A. 153V~265V
Puissance ≤40W
La température fonctionnante 0 ~50 degrés Celsius
La température fonctionnante -10 à 60 degrés Celsius
Dimension 500×482.6×43.7mm

Caractéristiques du produit :

  • Bande de fréquence large ;
  • Bas bruit de phase ;
  • Consommation de puissance faible, linéarité élevée ;
  • Processus hybride de microassemblage, petite taille, de forte stabilité ;
  • Grand choix de température de fonctionnement ;
  • Disponible fait sur commande


Applications :

  • Communication de Satallite ;
  • Communication militaire ;
  • Bloquer des signaux radios ;
  • Contre-mesures électroniques (contre-mesure électronique) ;
  • Communications mobiles ;
  • Etc.
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